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A2G22S160-01SR3

A2G22S160-01SR3

Nur als Referenz

Teilenummer A2G22S160-01SR3
PNEDA Teilenummer A2G22S160-01SR3
Beschreibung IC TRANS RF LDMOS
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A2G22S160-01SR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2G22S160-01SR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2G22S160-01SR3, A2G22S160-01SR3 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 809,39 KB)
PDFA2G22S160-01SR3 Datenblatt Cover
A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 2 A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 3 A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 4 A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 5 A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 6 A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 7 A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 8 A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 9 A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 10 A2G22S160-01SR3 Datenblatt Seite 11

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A2G22S160-01SR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
Transistortyp-
Frequenz2.11GHz
Gewinn19.6dB
Spannungstest48V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung32W
Spannung - Nennspannung125V
Paket / FallNI-400S-2S
LieferantengerätepaketNI-400S-2S

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.1dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.85A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-34288-4/2

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

34A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

3SK293(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

2.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12.5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

USQ

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

850mA

Leistung - Leistung

19W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

PTFA260851E V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.68GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

85W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

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