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71V67803S150PFG

71V67803S150PFG

Nur als Referenz

Teilenummer 71V67803S150PFG
PNEDA Teilenummer 71V67803S150PFG
Beschreibung IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 6.282
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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71V67803S150PFG Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer71V67803S150PFG
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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71V67803S150PFG Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße9Mb (512K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.8ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x14)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

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-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY14B101J1-SXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

3.4MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

3500ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IS64WV51216BLL-10MA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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70V658S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

2Mb (64K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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