MT53B2DANP-DC
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| Teilenummer | MT53B2DANP-DC |
| PNEDA Teilenummer | MT53B2DANP-DC |
| Beschreibung | LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.004 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MT53B2DANP-DC Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT53B2DANP-DC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT53B2DANP-DC Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 16Gb (2G x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 83MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-VBGA Lieferantengerätepaket 100-VBGA (12x18) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 7µs, 3ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 2ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP |
