71V65803S133BG8
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Teilenummer | 71V65803S133BG8 |
PNEDA Teilenummer | 71V65803S133BG8 |
Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA |
Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.208 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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71V65803S133BG8 Ressourcen
Marke | IDT, Integrated Device Technology |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 71V65803S133BG8 |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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71V65803S133BG8 Technische Daten
Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
Speichergröße | 9Mb (512K x 18) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 133MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 4.2ns |
Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.465V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 119-BGA |
Lieferantengerätepaket | 119-PBGA (14x22) |
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-LFBGA Lieferantengerätepaket 54-LFBGA (8x13) |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie FL-S Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O Taktfrequenz 80MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP-B |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |