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IDT71V65802S133BQ

IDT71V65802S133BQ

Nur als Referenz

Teilenummer IDT71V65802S133BQ
PNEDA Teilenummer IDT71V65802S133BQ
Beschreibung IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 6.282
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IDT71V65802S133BQ Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDT71V65802S133BQ
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IDT71V65802S133BQ, IDT71V65802S133BQ Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 489,64 KB)
PDFIDT71V65802ZS133BG8 Datenblatt Cover
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IDT71V65802S133BQ Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße9Mb (512K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit4.2ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-TBGA
Lieferantengerätepaket165-CABGA (13x15)

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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-

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-

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-

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-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

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-

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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