70V658S10BCG
Nur als Referenz
Teilenummer | 70V658S10BCG |
PNEDA Teilenummer | 70V658S10BCG |
Beschreibung | IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA |
Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.390 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
70V658S10BCG Ressourcen
Marke | IDT, Integrated Device Technology |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 70V658S10BCG |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 70V658S10BCG Datasheet
- where to find 70V658S10BCG
- IDT, Integrated Device Technology
- IDT, Integrated Device Technology 70V658S10BCG
- 70V658S10BCG PDF Datasheet
- 70V658S10BCG Stock
- 70V658S10BCG Pinout
- Datasheet 70V658S10BCG
- 70V658S10BCG Supplier
- IDT, Integrated Device Technology Distributor
- 70V658S10BCG Price
- 70V658S10BCG Distributor
70V658S10BCG Technische Daten
Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Speichergröße | 2Mb (64K x 36) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
Zugriffszeit | 10ns |
Spannung - Versorgung | 3.15V ~ 3.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 256-LBGA |
Lieferantengerätepaket | 256-CABGA (17x17) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 550ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.1V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 200-WFBGA Lieferantengerätepaket 200-WFBGA (10x14.5) |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie CD-J Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 32Mb (1M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 75MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 54ns Spannung - Versorgung 1.65V ~ 2.75V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 80-LBGA Lieferantengerätepaket 80-FBGA (13x11) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH, RAM Technologie FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Speichergröße 1Gb (64M x 16)(NAND), 256Mb (8M x 32)(LPDRAM) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 130-VFBGA Lieferantengerätepaket 130-VFBGA (8x9) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 50-TSOP II |