70V3579S5BCI8
Nur als Referenz
| Teilenummer | 70V3579S5BCI8 |
| PNEDA Teilenummer | 70V3579S5BCI8 |
| Beschreibung | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA |
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.932 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 5 - Mär 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
70V3579S5BCI8 Ressourcen
| Marke | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | 70V3579S5BCI8 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 70V3579S5BCI8 Datasheet
- where to find 70V3579S5BCI8
- IDT, Integrated Device Technology
- IDT, Integrated Device Technology 70V3579S5BCI8
- 70V3579S5BCI8 PDF Datasheet
- 70V3579S5BCI8 Stock
- 70V3579S5BCI8 Pinout
- Datasheet 70V3579S5BCI8
- 70V3579S5BCI8 Supplier
- IDT, Integrated Device Technology Distributor
- 70V3579S5BCI8 Price
- 70V3579S5BCI8 Distributor
70V3579S5BCI8 Technische Daten
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Speichergröße | 1.125Mb (32K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 5ns |
| Spannung - Versorgung | 3.15V ~ 3.45V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 256-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 256-CABGA (17x17) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Kb (128 x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-Mini Map (2x3) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.1V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Kb (256 x 4) Speicherschnittstelle 1-Wire® Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 2µs Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-WDFN Lieferantengerätepaket 2-SFN (3.5x6.5) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile SDRAM Speichergröße 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-VFBGA Lieferantengerätepaket 90-FBGA (8x13) |
