AS4C16M32MSA-6BINTR
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| Teilenummer | AS4C16M32MSA-6BINTR |
| PNEDA Teilenummer | AS4C16M32MSA-6BINTR |
| Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.546 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 5 - Mär 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AS4C16M32MSA-6BINTR Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AS4C16M32MSA-6BINTR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
AS4C16M32MSA-6BINTR, AS4C16M32MSA-6BINTR Datenblatt
(Total Pages: 47, Größe: 2.372,08 KB)
  
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AS4C16M32MSA-6BINTR Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
| Speichergröße | 512Mb (16M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 5.4ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-FBGA (8x13) |
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