6N136-000E
Nur als Referenz
| Teilenummer | 6N136-000E | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 6N136-000E | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8DIP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Broadcom | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 19.584 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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6N136-000E Ressourcen
| Marke | Broadcom |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 6N136-000E |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
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6N136-000E Technische Daten
| Hersteller | Broadcom Limited |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 3750Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 19% @ 16mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | 50% @ 16mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 200ns, 600ns |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 20V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 8mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.5V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 25mA |
| Vce-Sättigung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-DIP |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD (4 Leads), Gull Wing Lieferantengerätepaket 6-MFSOP, 4 Lead |
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