65DN06ELEMPRXPSA1
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| Teilenummer | 65DN06ELEMPRXPSA1 |
| PNEDA Teilenummer | 65DN06ELEMPRXPSA1 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 8470A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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65DN06ELEMPRXPSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 65DN06ELEMPRXPSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
65DN06ELEMPRXPSA1, 65DN06ELEMPRXPSA1 Datenblatt
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65DN06ELEMPRXPSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8470A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 10000A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100mA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | DO-200AB, B-PUK |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 180°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
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