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4N37VM

4N37VM

Nur als Referenz

Teilenummer 4N37VM
PNEDA Teilenummer 4N37VM
Beschreibung OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.672
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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4N37VM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer4N37VM
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
4N37VM, 4N37VM Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 398,34 KB)
PDFH11A4VM Datenblatt Cover
H11A4VM Datenblatt Seite 2 H11A4VM Datenblatt Seite 3 H11A4VM Datenblatt Seite 4 H11A4VM Datenblatt Seite 5 H11A4VM Datenblatt Seite 6 H11A4VM Datenblatt Seite 7 H11A4VM Datenblatt Seite 8 H11A4VM Datenblatt Seite 9 H11A4VM Datenblatt Seite 10 H11A4VM Datenblatt Seite 11

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4N37VM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation4170Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)100% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)2µs, 2µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)30V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.18V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)300mV
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

35V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.4V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-30°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-Miniflat

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4-Mini-Flat

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Isocom Components 2004 LTD

Hersteller

Isocom Components 2004 LTD

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

500% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-25°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-DIP

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Sharp Microelectronics

Hersteller

Sharp Microelectronics

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

120% @ 500µA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 500µA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

10mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-30°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

TIL117M

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

10µs, 10µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

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Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

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Through Hole

Paket / Fall

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