2SK3075(TE12L,Q)
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| Teilenummer | 2SK3075(TE12L,Q) |
| PNEDA Teilenummer | 2SK3075-TE12L-Q |
| Beschreibung | MOSF RF N CH 30V 5A PW-X |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.034 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SK3075(TE12L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK3075(TE12L,Q) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
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2SK3075(TE12L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | N-Channel |
| Frequenz | 520MHz |
| Gewinn | 11.7dB |
| Spannungstest | 9.6V |
| Nennstrom (Ampere) | 5A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 50mA |
| Leistung - Leistung | 7.5W |
| Spannung - Nennspannung | 30V |
| Paket / Fall | TO-271AA |
| Lieferantengerätepaket | PW-X |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Frequenz - Gewinn - Spannungstest - Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest - Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 765MHz Gewinn 18.7dB Spannungstest 30V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 900mA Leistung - Leistung 150W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Lieferantengerätepaket H-37248-2 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp N-Channel JFET Frequenz 450MHz Gewinn 12dB Spannungstest 10V Nennstrom (Ampere) 30mA Rauschzahl 3dB Stromtest 10mA Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung 25V Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 450MHz Gewinn 22dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 900mA Leistung - Leistung 300W Spannung - Nennspannung 110V Paket / Fall TO-272BB Lieferantengerätepaket TO-272 WB-4 |
