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MRF6V4300NBR5

MRF6V4300NBR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6V4300NBR5
PNEDA Teilenummer MRF6V4300NBR5
Beschreibung FET RF 110V 450MHZ TO-272-4
Hersteller NXP
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MRF6V4300NBR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6V4300NBR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6V4300NBR5, MRF6V4300NBR5 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 869,92 KB)
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MRF6V4300NBR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz450MHz
Gewinn22dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung300W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallTO-272BB
LieferantengerätepaketTO-272 WB-4

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Gewinn

-

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

75W

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

P-Channel

Frequenz

1kHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

2dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

15.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

22W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

BLP05H6250XRGY

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

27dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT-1224-2

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