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2SK2989,F(J

2SK2989,F(J

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK2989,F(J
PNEDA Teilenummer 2SK2989-F-J
Beschreibung MOSFET N-CH
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 4.986
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SK2989 Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK2989,F(J
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
2SK2989, 2SK2989 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 237,37 KB)
PDF2SK2989 Datenblatt Cover
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2SK2989 Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie*
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-92MOD
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Long Body

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PSMN2R4-30YLDX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2256pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

106W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1135W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

EPC2039

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die

Paket / Fall

Die

SIHB12N65E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1224pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

SSC54-E3/57T

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

ADP2164ACPZ-1.8-R7

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Analog Devices

IC REG BUCK 1.8V 4A 16LFCSP

MLX92251LSE-AAA-000-RE

MLX92251LSE-AAA-000-RE

Melexis Technologies NV

MAGNET SWITCH LATCH DUAL TSOT23

NRVBS3100T3G

NRVBS3100T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC

REF196GSZ

REF196GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

SMBJ33CA

SMBJ33CA

Semtech

1-LINE 33V 11.3A TVS DO-214AA

PS22056

PS22056

Powerex Inc.

MOD IPM 1200V 25A DIP

MMBT4401LT1G

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ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

MMSZ4V7T1G

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ON Semiconductor

DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

EMZA250ADA101MF80G

EMZA250ADA101MF80G

United Chemi-Con

CAP ALUM 100UF 20% 25V SMD