2SK1058-E
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Teilenummer | 2SK1058-E |
PNEDA Teilenummer | 2SK1058-E |
Beschreibung | MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P |
Hersteller | Renesas Electronics America |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.340 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SK1058-E Ressourcen
Marke | Renesas Electronics America |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 2SK1058-E |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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2SK1058-E Technische Daten
Hersteller | Renesas Electronics America |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 160V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3P |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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