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2SC48350RL

2SC48350RL

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC48350RL
PNEDA Teilenummer 2SC48350RL
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 6GHZ SMINI3-G1
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 24.468
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SC48350RL Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC48350RL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC48350RL, 2SC48350RL Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 238,62 KB)
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2SC48350RL Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang6GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2dB @ 800MHz
Gewinn11dB ~ 14dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 20mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSMini3-G1

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6.1V

Frequenz - Übergang

900MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz

Gewinn

27dB

Leistung - max

600mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 90mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT343-4-2

DSA9G01C0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MPA201HS

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

HFA3096B96

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

3 NPN + 2 PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V, 15V

Frequenz - Übergang

8GHz, 5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

2SC4713KT146R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3

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