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2SC4227-T1-R34-A

2SC4227-T1-R34-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC4227-T1-R34-A
PNEDA Teilenummer 2SC4227-T1-R34-A
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323
Hersteller CEL
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2SC4227-T1-R34-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC4227-T1-R34-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC4227-T1-R34-A, 2SC4227-T1-R34-A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.353,3 KB)
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2SC4227-T1-R34-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB @ 1GHz
Gewinn12dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Gewinn

11.6dB

Leistung - max

6.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

11V

Frequenz - Übergang

3.2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

310mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

23A025

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

22V

Frequenz - Übergang

3.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB ~ 6.3dB

Leistung - max

9W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 420mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55BT

Lieferantengerätepaket

55BT

JANTXV2N2857

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/343

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-72-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

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