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2SC2713-GR,LF

2SC2713-GR,LF

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC2713-GR,LF
PNEDA Teilenummer 2SC2713-GR-LF
Beschreibung TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 74.946
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SC2713-GR Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC2713-GR,LF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2SC2713-GR Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)120V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Leistung - max150mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Leistung - max

310mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

ZTX603

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

2SD1824GSL

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1μA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

600 @ 2mA, 10V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

90MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

120mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 2V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

690MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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