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50A02SS-TL-E

50A02SS-TL-E

Nur als Referenz

Teilenummer 50A02SS-TL-E
PNEDA Teilenummer 50A02SS-TL-E
Beschreibung TRANS PNP 50V 0.4A SSFP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 267.750
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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50A02SS-TL-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer50A02SS-TL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
50A02SS-TL-E, 50A02SS-TL-E Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 509,47 KB)
PDF50A02SS-TL-E Datenblatt Cover
50A02SS-TL-E Datenblatt Seite 2 50A02SS-TL-E Datenblatt Seite 3 50A02SS-TL-E Datenblatt Seite 4 50A02SS-TL-E Datenblatt Seite 5 50A02SS-TL-E Datenblatt Seite 6 50A02SS-TL-E Datenblatt Seite 7

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50A02SS-TL-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)400mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic120mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 10mA, 2V
Leistung - max200mW
Frequenz - Übergang690MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-81
Lieferantengerätepaket3-SSFP

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 10V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

BDX33D-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 6mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

BD682G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-225AA

2N3585

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SS9014DTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

400 @ 1mA, 5V

Leistung - max

450mW

Frequenz - Übergang

270MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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