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2SB315B-FF800R12KE3

2SB315B-FF800R12KE3

Nur als Referenz

Teilenummer 2SB315B-FF800R12KE3
PNEDA Teilenummer 2SB315B-FF800R12KE3
Beschreibung MOD GATE DVR FF800R12KE3
Hersteller Power Integrations
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2SB315B-FF800R12KE3 Ressourcen

Marke Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SB315B-FF800R12KE3
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
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2SB315B-FF800R12KE3 Technische Daten

HerstellerPower Integrations
SerieSCALE™-1
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung0V ~ 16V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
Eingabetyp-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.5V ~ 13.5V

Logikspannung - VIL, VIH

2V, 4V; 3V, 6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

180mA, 200mA

Eingabetyp

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

550V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SSOP

MAX17603AUA+T

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

2V, 4.25V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-uMax-EP

NCP81253BMNTBG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.7V, 3.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

16ns, 11ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (2x2)

Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

24V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

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