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2N6515RLRMG

2N6515RLRMG

Nur als Referenz

Teilenummer 2N6515RLRMG
PNEDA Teilenummer 2N6515RLRMG
Beschreibung TRANS NPN 250V 0.5A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.214
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2N6515RLRMG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N6515RLRMG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2N6515RLRMG, 2N6515RLRMG Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 116,97 KB)
PDF2N6517RLRPG Datenblatt Cover
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2N6515RLRMG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)250V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce45 @ 50mA, 10V
Leistung - max625mW
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

Leistung - max

125W

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

TO-218

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

NJW21193G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 3.2A, 16A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8A, 5V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P-3L

MCH6103-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

430mV @ 10mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

420MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

JANTX2N918UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/301

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

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