NZT660A
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Teilenummer | NZT660A |
PNEDA Teilenummer | NZT660A |
Beschreibung | TRANS PNP 60V 3A SOT223 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 61.926 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NZT660A Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NZT660A |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
Datenblatt |
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NZT660A Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Transistortyp | PNP |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V |
Leistung - max | 2W |
Frequenz - Übergang | 75MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Lieferantengerätepaket | SOT-223-4 |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 10mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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