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1PS75SB45,135

1PS75SB45,135

Nur als Referenz

Teilenummer 1PS75SB45,135
PNEDA Teilenummer 1PS75SB45-135
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SC75
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $13,8216
100 ---------- $13,1737
250 ---------- $12,5258
500 ---------- $11,8779
750 ---------- $11,3380
1.000 ---------- $10,7981
Auf Lager 1.516.047
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1PS75SB45 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1PS75SB45,135
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
1PS75SB45, 1PS75SB45 Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 342,11 KB)
PDF1PS75SB45 Datenblatt Cover
1PS75SB45 Datenblatt Seite 2 1PS75SB45 Datenblatt Seite 3 1PS75SB45 Datenblatt Seite 4 1PS75SB45 Datenblatt Seite 5 1PS75SB45 Datenblatt Seite 6 1PS75SB45 Datenblatt Seite 7 1PS75SB45 Datenblatt Seite 8 1PS75SB45 Datenblatt Seite 9 1PS75SB45 Datenblatt Seite 10 1PS75SB45 Datenblatt Seite 11

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1PS75SB45 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)120mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 40mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 40V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketSC-75

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

480µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

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V30120C-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

970mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 120V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Montagetyp

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

240V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

225mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 240V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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