1PS59SB10,115
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| Teilenummer | 1PS59SB10,115 |
| PNEDA Teilenummer | 1PS59SB10-115 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMT3 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.570 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1PS59SB10 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1PS59SB10,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1PS59SB10 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2µA @ 25V |
| Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SMT3; MPAK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 125°C (Max) |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 4pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket D-67 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 250mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 6pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-79, SOD-523 Lieferantengerätepaket PG-SC79-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/297 Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 35A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 110A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 40A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 8A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 7µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 545pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
