1N916A
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| Teilenummer | 1N916A |
| PNEDA Teilenummer | 1N916A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.952 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N916A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N916A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N916A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 20mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 75V |
| Kapazität @ Vr, F. | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3600V Current - Average Rectified (Io) 1800A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.32V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100mA @ 3600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AC, K-PUK Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 160°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 520mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 35V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-215AB, SMC Gull Wing Lieferantengerätepaket DO-215AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3V @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
