1N5551US
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Teilenummer | 1N5551US |
PNEDA Teilenummer | 1N5551US |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.238 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N5551US Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N5551US |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5551US Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SQ-MELF, B |
Lieferantengerätepaket | D-5B |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 300ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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