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1N5408GTA

1N5408GTA

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5408GTA
PNEDA Teilenummer 1N5408GTA
Beschreibung STANDARD RECTIFIER 1000V DO-201A
Hersteller SMC Diode Solutions
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Auf Lager 5.292
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1N5408GTA Ressourcen

Marke SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5408GTA
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N5408GTA Technische Daten

HerstellerSMC Diode Solutions
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.30pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

CDLL5711/TR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

33mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AA

Lieferantengerätepaket

DO-213AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

BYT53C-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

1.9A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-57, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

CRS20I40B(TE85L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

520mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

62pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

S-FLAT (1.6x3.5)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

SF65G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 6A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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