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1N4592

1N4592

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4592
PNEDA Teilenummer 1N4592
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 5.634
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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1N4592 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4592
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N4592, 1N4592 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 1.753,39 KB)
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1N4592 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)150A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5V @ 150A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr6.5mA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-205AA, DO-8, Stud
LieferantengerätepaketDO-205AA (DO-8)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-60°C ~ 200°C

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/241

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

125V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2nA @ 125V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SS25LHMTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

HT16G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

T-18, Axial

Lieferantengerätepaket

TS-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SE50PAJ-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.6A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

940mV @ 2.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

32pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DO-221BC (SMPA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

GP10-4003E-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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