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1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4448HLP-7
PNEDA Teilenummer 1N4448HLP-7
Beschreibung DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 812.952
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N4448HLP-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4448HLP-7
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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1N4448HLP-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Current - Average Rectified (Io)125mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F.3pF @ 0.5V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall0402 (1006 Metric)
LieferantengerätepaketX1-DFN1006-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

125A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 470A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

700ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

45mA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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Hersteller

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Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

FFPF08S60SNTU

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.4V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 20A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

600pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

ES3HB R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.45V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

34pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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