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PMEG6030EP,115

PMEG6030EP,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMEG6030EP,115
PNEDA Teilenummer PMEG6030EP-115
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128
Hersteller Nexperia
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PMEG6030EP Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMEG6030EP,115
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
PMEG6030EP, PMEG6030EP Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 231,34 KB)
PDFPMEG6030EP/8X Datenblatt Cover
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PMEG6030EP Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If530mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 60V
Kapazität @ Vr, F.360pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-128
LieferantengerätepaketSOD-128/CFP5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

ECOPACK®2

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

890mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

210µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FPAB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

EG 1V1

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

800mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 800mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

R7004403XXUA

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4400V

Current - Average Rectified (Io)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.15V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

9µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 4400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AA, R62

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

US1B M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

EGF1BHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214BA

Lieferantengerätepaket

DO-214BA (GF1)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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