1N3892
Nur als Referenz
Teilenummer | 1N3892 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | 1N3892 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 | ||||||||||||||||||
Hersteller | GeneSiC Semiconductor | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 92 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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1N3892 Ressourcen
Marke | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N3892 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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1N3892 Technische Daten
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Current - Average Rectified (Io) | 12A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 12A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
Lieferantengerätepaket | DO-4 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 6A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 6A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 210µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 190pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket PG-TO220-2-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 575mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5.5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 250pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN2020D-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |