1EDN8511BXTSA1
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| Teilenummer | 1EDN8511BXTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | 1EDN8511BXTSA1 |
| Beschreibung | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.532 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1EDN8511BXTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1EDN8511BXTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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1EDN8511BXTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | EiceDriver™ |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge, Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1.2V, 1.9V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 4A, 8A |
| Eingabetyp | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 6.5ns, 4.5ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT23-6-2 |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
