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BS2101F-E2

BS2101F-E2

Nur als Referenz

Teilenummer BS2101F-E2
PNEDA Teilenummer BS2101F-E2
Beschreibung 600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 8.316
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BS2101F-E2 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBS2101F-E2
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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BS2101F-E2 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
Angetriebene KonfigurationHigh-Side or Low-Side
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2.6V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)60mA, 130mA
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)60ns, 20ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

MIC4478YM-TR

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 32V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 2.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

120ns, 45ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ISL6608CB

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

22V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IRS2113STRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 2.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 17ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

IR21365JTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

12V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

125ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Lieferantengerätepaket

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

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