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Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
HerstellerNexperia USA Inc.
Datensätze 123
Seite 5/5
Bild
Teilenummer
Hersteller
Beschreibung
Auf Lager
Menge
Serie
FET-Typ
FET-Funktion
Drain to Source Voltage (Vdss)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Leistung - max
Betriebstemperatur
Montagetyp
Paket / Fall
Lieferantengerätepaket
BUK9MNN-65PKK,518
Nexperia
9605 AUTO TRENCH PLUS
7.596
TrenchPLUS
2 N-Channel (Dual)
Logic Level Gate
65V
7.1A (Tc)
32.8mOhm @ 5A, 10V
2V @ 1mA
15nC @ 5V
1180pF @ 25V
3.57W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
20-SO
BUK9MRR-65PKK,518
Nexperia
9605 AUTO TRENCH PLUS
6.030
TrenchPLUS
2 N-Channel (Dual)
Logic Level Gate
65V
4.8A (Tc)
60.7mOhm @ 3A, 10V
2V @ 1mA
8.8nC @ 5V
712pF @ 25V
3.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
20-SO
BUK9MTT-65PBB,518
Nexperia
9605 AUTO TRENCH PLUS
5.922
TrenchPLUS
2 N-Channel (Dual)
Logic Level Gate
65V
3.8A (Tc)
90.4mOhm @ 3A, 10V
2V @ 1mA
6.3nC @ 5V
535pF @ 25V
3.15W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
20-SO