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GeneSiC Semiconductor Transistoren - IGBTs - Single

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - IGBTs - Single
HerstellerGeneSiC Semiconductor
Datensätze 1
Seite 1/1
Bild
Teilenummer
Hersteller
Beschreibung
Auf Lager
Menge
Serie
IGBT-Typ
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Leistung - max
Schaltenergie
Eingabetyp
Gate Charge
Td (ein / aus) bei 25 ° C.
Testbedingung
Reverse Recovery Time (trr)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Paket / Fall
Lieferantengerätepaket
GA35XCP12-247
GeneSiC Semiconductor
IGBT 1200V SOT247
6.624
-
PT
1200V
-
35A
3V @ 15V, 35A
-
2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Standard
50nC
-
800V, 35A, 22Ohm, 15V
36ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247AB