Transistoren

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TSM3911DCX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26 Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.23nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 882.51pF @ 6V Leistung - max: 1.15W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager264.906
TSM4925DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 P-CH 30V 7.1A 8SOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager24.012
TSM4936DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V 5.9A 8SOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Leistung - max: 3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager112.866
TSM4946DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 60V 4.5A 8SOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 24V Leistung - max: 2.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager43.050
TSM4953DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 P-CH 30V 4.9A 8SOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 15V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager117.792
TSM500P02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1230pF @ 10V Leistung - max: 620mW Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-TDFN (2x2)	Auf Lager4.554
TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V Leistung - max: 40W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-PDFN (5x6)	Auf Lager20.616
TSM680P06DPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V Leistung - max: 3.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-PDFN (5x6)	Auf Lager47.976
TSM6866SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 8V Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager23.028
TSM6963SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A 8TSSOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Leistung - max: 1.14W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager99.552
TSM6968DCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Leistung - max: 1.04W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager108.996
TSM6968SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Leistung - max: 1.04W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager23.394
TSM8568CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 15A/13A 8SOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V Leistung - max: 6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager137.178
TSM8588CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays COMPLEMENTARY N & P-CHANNEL POWE Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Leistung - max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager26.448
TSM9926DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 6A 8SOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 562pF @ 8V Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.510
TSM9933DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 8SOP Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager22.410
TT8J11TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 6V Leistung - max: 650mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager3.312
TT8J13TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 6V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager3.294
TT8J1TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 6V Leistung - max: 1.25W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager7.488
TT8J21TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V Leistung - max: 650mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager3.418
TT8J2TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Leistung - max: 1.25W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager3.618
TT8J3TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Leistung - max: 1.25W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager4.482
TT8K11TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager8.532
TT8K1TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager3.490
TT8K2TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Leistung - max: 1.25W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager5.544
TT8M1TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager66.396
TT8M2TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Leistung - max: 1.25W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager5.652
TT8M3TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-TSST	Auf Lager4.770
UM5K1NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager7.308
UM6J1NTN Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager216.738

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