TSM8568CS RLG
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| Teilenummer | TSM8568CS RLG |
| PNEDA Teilenummer | TSM8568CS-RLG |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 15A/13A 8SOP |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 137.178 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TSM8568CS RLG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM8568CS RLG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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TSM8568CS RLG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A (Tc), 13A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V |
| Leistung - max | 6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V Leistung - max 2.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 290A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 145A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1440nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40000pF @ 25V Leistung - max 1500W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y3-DCB Lieferantengerätepaket Y3-DCB |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A Rds On (Max) @ Id, Vgs 552mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V Leistung - max 357W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
