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MJE2955T STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager18.066
MJE2955TG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager16.212
MJE2955TTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.560
MJE3055-BP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN TO-220 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager8.532
MJE3055T ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.460
MJE3055T STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager14.322
MJE3055TG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager28.938
MJE3055TTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager8.154
MJE340 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 20.8W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: SOT-32-3	Auf Lager15.888
MJE340G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.5A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager23.640
MJE340STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.5A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager16.398
MJE3439G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager15.630
MJE344G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 200V 0.5A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager15.600
MJE350 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 20.8W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: SOT-32-3	Auf Lager25.338
MJE350G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.5A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager22.662
MJE350STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.5A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager3.132
MJE371 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager6.156
MJE371G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager16.998
MJE4343 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 16A TO218 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: 1MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: SOT-93	Auf Lager8.730
MJE4343G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 16A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: 1MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.408
MJE4353 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 160V 16A TO218 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: 1MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: SOT-93	Auf Lager5.724
MJE4353G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 160V 16A TO218 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: 1MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: SOT-93	Auf Lager4.824
MJE520 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 3A TO-126 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.300
MJE521 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager8.172
MJE521 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 4A SOT-32 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: SOT-32-3	Auf Lager4.068
MJE521G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager5.454
MJE5730 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.066
MJE5730G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager19.920
MJE5731 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 350V 1A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.812
MJE5731A ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 375V 1A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 375V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.454

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