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MJE15030 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.184
MJE15030G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager27.888
MJE15031 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 150V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.202
MJE15031G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 150V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager14.190
MJE15032 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.272
MJE15032G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager22.968
MJE15033 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.490
MJE15033G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager16.896
MJE15034 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 350V 4A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.282
MJE15034G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 350V 4A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.436
MJE15035 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 350V 4A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.326
MJE15035G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 350V 4A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager9.876
MJE170 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 12.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager4.950
MJE170G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager16.704
MJE170STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager3.042
MJE171 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 12.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager6.390
MJE171G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager17.784
MJE171STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager2.322
MJE172 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager2.862
MJE172 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 3A SOT-32 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 12.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: SOT-32-3	Auf Lager2.718
MJE172G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager12.336
MJE172STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager3.544
MJE180 MICROSS/On Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.942
MJE180 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 3A TO-126 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126	Auf Lager6.024
MJE18002 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 2A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 13MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.892
MJE18002G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 2A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 13MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.262
MJE18004 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 5A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 13MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.910
MJE18004D2 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 5A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 13MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.142
MJE18004D2G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 5A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 13MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.886
MJE18004G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 5A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 13MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.498

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