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Transistoren

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Beschreibung
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DCP56-13
DCP56-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 1A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager8.316
DCP56-16-13
DCP56-16-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 1A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager7.182
DCP68-13
DCP68-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 20V 1A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 330MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager36.918
DCP68-25-13
DCP68-25-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 20V 1A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 330MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager5.166
DCP69-13
DCP69-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 1A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager5.670
DCP69-16-13
DCP69-16-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 1A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager7.524
DCP69-25-13
DCP69-25-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 1A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager4.086
DCP69A-13
DCP69A-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 1A SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager8.136
DCP69A-16-13
DCP69A-16-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 1A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager3.744
DCX52-16-13
DCX52-16-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager4.158
DCX53-13
DCX53-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager24.732
DCX53-16-13
DCX53-16-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager8.298
DCX56-13
DCX56-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager5.202
DCX56-16-13
DCX56-16-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager7.488
DCX68-13
DCX68-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 20V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 330MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager5.328
DCX68-25-13
DCX68-25-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 20V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 330MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager25.674
DCX69-13
DCX69-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager2.178
DCX69-16-13
DCX69-16-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager2.286
DCX69-25-13
DCX69-25-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 1A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager6.660
DJT4030P-13
DJT4030P-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 40V 3A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
  • Leistung - max: 1.2W
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager7.326
DJT4031N-13
DJT4031N-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 40V 3A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
  • Leistung - max: 1.2W
  • Frequenz - Übergang: 105MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager23.940
DMJT9435-13
DMJT9435-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 30V 3A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
  • Leistung - max: 1.2W
  • Frequenz - Übergang: 160MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
Auf Lager4.176
DN0150ALP4-7
DN0150ALP4-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 450mW
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-XFDFN
  • Lieferantengerätepaket: X2-DFN1006-3
Auf Lager3.780
DN0150ALP4-7B
DN0150ALP4-7B

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 450mW
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-XFDFN
  • Lieferantengerätepaket: X2-DFN1006-3
Auf Lager3.312
DN0150BLP4-7
DN0150BLP4-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A X1-DFN1006-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 450mW
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-XFDFN
  • Lieferantengerätepaket: X2-DFN1006-3
Auf Lager4.608
DN0150BLP4-7B
DN0150BLP4-7B

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 450mW
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-XFDFN
  • Lieferantengerätepaket: X2-DFN1006-3
Auf Lager2.196
DN350T05-7
DN350T05-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager274.896
DNBT8105-7
DNBT8105-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
  • Leistung - max: 600mW
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager3.128.382
DNLS160-7
DNLS160-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 270MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager2.790
DNLS160V-7
DNLS160V-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 1A SOT-563

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.094