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Seite 388/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
D44VH10 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 15A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 1V Leistung - max: 83W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.868
D44VH10G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 15A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 1V Leistung - max: 83W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager34.704
D45C11 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 60W Frequenz - Übergang: 32MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.524
D45C12 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 4A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.820
D45C12G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 4A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.290
D45C8 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 60W Frequenz - Übergang: 32MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager4.662
D45H11 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.280
D45H11 MICROSS/On Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single DIE TRANS NPN BIPOLAR 80V Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.932
D45H11 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 10A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager13.830
D45H11FP STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 10A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 36W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FP	Auf Lager8.028
D45H11G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager16.242
D45H2A ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 30V 8A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 8A, 5V Leistung - max: 60W Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.526
D45H5 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 10A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.866
D45H8 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.066
D45H8 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.150
D45H8G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager21.114
D45VH10 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 15A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 1V Leistung - max: 83W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.318
D45VH10G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 15A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 1V Leistung - max: 83W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager22.830
D965-R-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN TO-92 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 22V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager2.934
D965-T-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN TO-92 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 22V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 2V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager4.446
DCP51-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager23.532
DCP51-16-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager2.718
DCP52-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager7.398
DCP52-16-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager24.174
DCP53-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager24.366
DCP53-16-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager19.278
DCP54-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager7.290
DCP54-16-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager7.074
DCP55-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager10.680
DCP55-16-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager6.822

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