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Transistoren

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BDP949H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 3A SOT223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
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BDP950E6327HTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 3A SOT-223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager6.588
BDP950H6327XTSA1
BDP950H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 3A SOT223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager6.642
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BDP953E6327HTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 100V 3A SOT-223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager8.622
BDP953H6327XTSA1
BDP953H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 100V 3A SOT223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
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Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 100V 3A SOT-223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager3.582
BDP954H6327XTSA1
BDP954H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 100V 3A SOT223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
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BDT60B-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 100V 4A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager6.156
BDT60C-S
BDT60C-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 120V 4A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager8.478
BDT60-S
BDT60-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 60V 4A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager6.246
BDT61A-S
BDT61A-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 80V 4A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager6.318
BDT61B-S
BDT61B-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 100V 4A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager3.960
BDT61C-S
BDT61C-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 120V 4A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager8.694
BDT61-S
BDT61-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 60V 4A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager6.678
BDV64
BDV64

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

POWER TRANSISTOR PNP TO218

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-218
Auf Lager6.570
BDV64A
BDV64A

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

POWER TRANSISTOR PNP TO218

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-218
Auf Lager5.778
BDV64A-S
BDV64A-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 3.5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager4.230
BDV64B
BDV64B

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

POWER TRANSISTOR PNP TO218

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-218
Auf Lager7.326
BDV64B
BDV64B

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager4.608
BDV64BG
BDV64BG

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 100V 10A TO247

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager7.920
BDV64B-S
BDV64B-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 100V 12A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 3.5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager8.370
BDV64C-S
BDV64C-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 120V 12A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 3.5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager5.346
BDV64-S
BDV64-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 60V 12A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 3.5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager8.226
BDV65
BDV65

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

POWER TRANSISTOR NPN TO218

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-218
Auf Lager4.662
BDV65A
BDV65A

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

POWER TRANSISTOR NPN TO218

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-218
Auf Lager2.304
BDV65A-S
BDV65A-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 80V 12A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 3.5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager5.040
BDV65B
BDV65B

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

POWER TRANSISTOR NPN TO218

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-218
Auf Lager8.802
BDV65B
BDV65B

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager4.482
BDV65BG
BDV65BG

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 100V 10A TO247

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 125W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager7.452
BDV65B-S
BDV65B-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 100V 12A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 3.5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager8.874