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Transistoren

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Beschreibung
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BD746C-S
BD746C-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 100V 20A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 5A, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 3.5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager8.010
BD746-S
BD746-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 20A SOT-93

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 5A, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 3.5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-218-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-93
Auf Lager8.874
BD787
BD787

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 4A TO-225

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
  • Leistung - max: 15W
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager8.064
BD787G
BD787G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 4A TO-225

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
  • Leistung - max: 15W
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager25.716
BD788
BD788

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 4A TO-225

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
  • Leistung - max: 15W
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager8.586
BD788G
BD788G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 4A TO-225

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
  • Leistung - max: 15W
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager19.980
BD809G
BD809G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 10A TO-220AB

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
  • Leistung - max: 90W
  • Frequenz - Übergang: 1.5MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager7.428
BD810
BD810

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 10A TO-220AB

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
  • Leistung - max: 90W
  • Frequenz - Übergang: 1.5MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager3.418
BD810G
BD810G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 10A TO-220AB

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
  • Leistung - max: 90W
  • Frequenz - Übergang: 1.5MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager9.768
BD895A-S
BD895A-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 45V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager2.988
BD895-S
BD895-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 45V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager8.964
BD897A-S
BD897A-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 60V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager4.680
BD897-S
BD897-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 60V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager6.012
BD898A-S
BD898A-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 60V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager6.984
BD898-S
BD898-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 60V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager7.326
BD899A-S
BD899A-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 80V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager6.156
BD900A-S
BD900A-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 80V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager2.682
BD901-S
BD901-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 100V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager8.370
BD902-S
BD902-S

Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 100V 8A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager7.542
BD910
BD910

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 15A TO-220

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 90W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
Auf Lager2.250
BD911
BD911

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 100V 15A TO-220

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 90W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager17.178
BD912
BD912

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 100V 15A TO-220

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
  • Leistung - max: 90W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager12.144
BDC01DRL1G
BDC01DRL1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 100V 0.5A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226)
Auf Lager8.694
BDP947E6327HTSA1
BDP947E6327HTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 45V 3A SOT-223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager7.236
BDP947H6327XTSA1
BDP947H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 45V 3A SOT223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager5.238
BDP948E6327HTSA1
BDP948E6327HTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 3A SOT-223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager2.520
BDP948E6433HTMA1
BDP948E6433HTMA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 3A SOT-223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager3.240
BDP948H6327XTSA1
BDP948H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 3A SOT223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager3.582
BDP948H6433XTMA1
BDP948H6433XTMA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 3A SOT223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager5.094
BDP949E6327HTSA1
BDP949E6327HTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 3A SOT-223

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4
Auf Lager3.978