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Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 2149/2164
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Beschreibung
Auf Lager
Menge
J202_D74Z
J202_D74Z

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 625mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.618
J203-18
J203-18

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET N-CH TO-92

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: *
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.246
J270
J270

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager2.520
J270_D26Z
J270_D26Z

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.812
J270_D27Z
J270_D27Z

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager2.034
J271
J271

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager2.304
J2A012YXS/T1AY403,

Transistoren - JFETs

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.068
J2A020YXS/T0BY425,

Transistoren - JFETs

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager8.478
J2A040YXS/T0BY424,

Transistoren - JFETs

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager2.268
J2A080GX0/T0BG295,

Transistoren - JFETs

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager2.100
J3A012YXS/T0BY4551

Transistoren - JFETs

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.906
J3A040YXS/T0BY4571

Transistoren - JFETs

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.030
J3A080YXS/T0BY4AG0

Transistoren - JFETs

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.326
JANTX2N4091
JANTX2N4091

Microsemi

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager7.812
JANTX2N4092
JANTX2N4092

Microsemi

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager143
JANTX2N4092UB
JANTX2N4092UB

Microsemi

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 0.36W SMD

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: 4-SMD
Auf Lager6.756
JANTX2N4093UB
JANTX2N4093UB

Microsemi

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 0.36W SMD

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 80 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: UB
Auf Lager218
JANTX2N4416AUB
JANTX2N4416AUB

Microsemi

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: 4-SMD
Auf Lager4.554
JANTX2N4857
JANTX2N4857

Microsemi

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager5.562
JANTX2N4859
JANTX2N4859

Microsemi

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 360MW TO-18

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager15.714
JFTJ105
JFTJ105

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 1W SOT223

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4.5V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): 3 Ohms
  • Leistung - max: 1W
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223-4
Auf Lager6.282
KSK30OBU
KSK30OBU

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager4.662
KSK30RBU
KSK30RBU

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.708
KSK30YBU
KSK30YBU

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager2.304
KSK30YTA
KSK30YTA

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.182
KSK595HMTF
KSK595HMTF

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 1MA 100MW SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager2.178
KSK596ABU
KSK596ABU

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager2.844
KSK596BBU
KSK596BBU

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager3.418
KSK596BU
KSK596BU

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager4.986
KSK596CBU
KSK596CBU

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager6.516