Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 2147/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
J110_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 18 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.118
J110G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.31W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 18 Ohms Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.074
J110RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.31W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 18 Ohms Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.826
J111 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager672.818
J111,126 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 400mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.430
J111-D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager28.710
J111_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.244
J111-D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager20.820
J111_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.148
J111RL1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.722
J111RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.436
J111RLRPG ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.996
J112 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CHAN 35V TO92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager51.587
J112 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager19.030
J112,126 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 400mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.622
J112_D11Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.456
J112-D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.590
J112-D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.452
J112-D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.634
J112G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.056
J112RL1 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.812
J112RL1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.388
J112RLRA ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.510
J112RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager265.570
J113 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager26.631
J113,126 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 400mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.888
J113_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.924
J113_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.050
J113-D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager108.066
J113_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 35V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.482

«
‹
1
...
2144
2145
2146
2147 (current)
2148
2149
2150
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message