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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SA1837,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager7.092
2SA1859 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 150V 2A TO220F Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager50.868
2SA1859A Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 180V 2A TO220F Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager23.532
2SA1860 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 150V 14A TO-3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager10.860
2SA1862TLP Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 400V 2A SOT-428 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 18MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager3.726
2SA1869-Y(JKT,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 3A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 10W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager8.730
2SA1869-Y,MTSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 3A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 10W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager8.082
2SA1869-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 3A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 10W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager2.394
2SA1869-Y(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 3A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 10W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager3.636
2SA1871-T1-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.568
2SA1887(F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 10A TO220NIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 45MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager8.136
2SA18900RL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 1A MINI PWR Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MiniP3-F1	Auf Lager4.428
2SA1890GRL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 1A MINIP-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MiniP3-F2	Auf Lager5.886
2SA1900T100Q Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 1A SO-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager7.344
2SA1907 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 6A TO3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V Leistung - max: 60W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager7.254
2SA1908 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 120V 8A TO3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager6.552
2SA1909 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 140V 10A TO3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager7.308
2SA1930,CKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager5.328
2SA1930,LBS2DIAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager7.002
2SA1930(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager8.820
2SA1930,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager6.750
2SA1930(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager4.050
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager4.716
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 180V 2A TO220NIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager3.564
2SA1931,BOSCHQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 5A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager7.758
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 5A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager6.048
2SA1931,NETQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 5A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager7.326
2SA1931,NETQ(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 5A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager3.546
2SA1931,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 5A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager8.442
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 5A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager2.088

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