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Seite 207/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SA1776TV2Q Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 400V 0.5A ATV Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 12MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SIP Lieferantengerätepaket: ATV	Auf Lager6.714
2SA1790JCL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 20V 0.03A SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V Leistung - max: 125mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F1	Auf Lager22.704
2SA1791GRL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 0.05A SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V Leistung - max: 125mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F3	Auf Lager4.536
2SA1791JRL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 0.05A SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V Leistung - max: 125mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F1	Auf Lager8.028
2SA1797-P-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager6.714
2SA1797T100P Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 2A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager3.294
2SA1797T100Q Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 2A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager23.472
2SA1806GRL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 15V 0.05A SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 1V Leistung - max: 125mW Frequenz - Übergang: 1.5GHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F3	Auf Lager2.178
2SA1806JRL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 15V 0.05A SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 1V Leistung - max: 125mW Frequenz - Übergang: 1.5GHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F1	Auf Lager3.420
2SA1807TLP Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 600V 1A TO252 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager4.104
2SA1812T100Q Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 400V 0.5A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 12MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager3.438
2SA1827S-AY ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 4A FLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 No Tab Lieferantengerätepaket: FLP	Auf Lager6.246
2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 0.15A SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager6.282
2SA1832-Y-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager7.326
2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 0.15A SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager2.322
2SA1834TLR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 20V 10A SOT-428 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager59.178
2SA1834TLS Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 20V 10A SOT-428 TR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager3.472
2SA1836-T1-A Renesas Electronics America	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR PNP USM SC-75 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.244
2SA1837,F(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager4.176
2SA1837(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 230V 1A TO220NIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager60.030
2SA1837,HFEMBJF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager2.214
2SA1837,HFEYHF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager6.444
2SA1837,HFEYHF(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager5.472
2SA1837(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager4.626
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager2.088
2SA1837(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager7.632
2SA1837,S1CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager3.006
2SA1837,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager2.340
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager3.436
2SA1837,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 1A 230V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager2.970

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