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Transistoren

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Beschreibung
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VS-GT100LA120UX
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 134A
  • Leistung - max: 463W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager2.304
VS-GT100NA120UX
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 134A
  • Leistung - max: 463W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager5.562
VS-GT100TP120N
VS-GT100TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 180A
  • Leistung - max: 652W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.8nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager5.220
VS-GT100TP60N
VS-GT100TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A
  • Leistung - max: 417W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.71nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager2.628
VS-GT105LA120UX
VS-GT105LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 134A
  • Leistung - max: 463W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 75µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager2.610
VS-GT105NA120UX
VS-GT105NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 134A
  • Leistung - max: 463W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 75µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager7.020
VS-GT120DA65U
VS-GT120DA65U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: FRED Pt®
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single Switch
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 167A
  • Leistung - max: 577W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.6nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager3.400
VS-GT140DA60U
VS-GT140DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 200A 652W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A
  • Leistung - max: 652W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager2.034
VS-GT175DA120U
VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 288A
  • Leistung - max: 1087W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager2.178
VS-GT180DA120U
VS-GT180DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: HEXFRED®
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 281A
  • Leistung - max: 1087W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9350pF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager7.866
VS-GT200TP065N
VS-GT200TP065N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 221A
  • Leistung - max: 600W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.12V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 60µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-Pak
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager3.708
VS-GT300FD060N
VS-GT300FD060N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 379A 1250W DIAP

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Level Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 379A
  • Leistung - max: 1250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 23.3nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Dual INT-A-PAK (4 + 8)
  • Lieferantengerätepaket: Dual INT-A-PAK
Auf Lager4.302
VS-GT300YH120N
VS-GT300YH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 341A
  • Leistung - max: 1042W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 36nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 8)
  • Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK
Auf Lager7.650
VS-GT400TH120N
VS-GT400TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600A
  • Leistung - max: 2119W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 28.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 8)
  • Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK
Auf Lager5.796
VS-GT400TH120U
VS-GT400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 750A 2344W DIAP

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 750A
  • Leistung - max: 2344W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 51.2nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 8)
  • Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK
Auf Lager6.930
VS-GT400TH60N
VS-GT400TH60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 530A 1600W DIAP

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 530A
  • Leistung - max: 1600W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 30.8nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 8)
  • Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK
Auf Lager5.022
VS-GT50TP120N
VS-GT50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 405W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.24nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager5.814
VS-GT50TP60N
VS-GT50TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 85A
  • Leistung - max: 208W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.03nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager7.902
VS-GT75LP120N
VS-GT75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 150A 543W

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 543W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-Pak
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager5.850
VS-GT75NP120N
VS-GT75NP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 446W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.08V @ 15V, 75A (Typ)
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.45nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager8.154
VS-GT80DA120U
VS-GT80DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: HEXFRED®
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 139A
  • Leistung - max: 658W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager6.204
VWI15-12P1
VWI15-12P1

IXYS

Transistoren - IGBTs - Module

MODULE IGBT 18A 1200V ECO-PAC2

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18A
  • Leistung - max: 90W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 0.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ECO-PAC2
  • Lieferantengerätepaket: ECO-PAC2
Auf Lager2.088
VWI20-06P1
VWI20-06P1

IXYS

Transistoren - IGBTs - Module

MODULE IGBT 19A 600V ECO-PAC2

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 19A
  • Leistung - max: 73W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 600µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 0.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ECO-PAC2
  • Lieferantengerätepaket: ECO-PAC2
Auf Lager4.464
VWI35-06P1
VWI35-06P1

IXYS

Transistoren - IGBTs - Module

MODULE IGBT 31A 600V ECO-PAC2

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A
  • Leistung - max: 100W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 600µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ECO-PAC2
  • Lieferantengerätepaket: ECO-PAC2
Auf Lager8.244
VWI3X20-06P1

Transistoren - IGBTs - Module

MODULE IGBT 3X20A 600V ECO-PAC1

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
  • Leistung - max: -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ECO-PAC1
  • Lieferantengerätepaket: ECO-PAC1
Auf Lager7.830
VWI6-12P1
VWI6-12P1

IXYS

Transistoren - IGBTs - Module

MODULE IGBT 6PACK 1200V ECO-PAC2

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A
  • Leistung - max: 40W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.6V @ 15V, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 0.205nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: ECO-PAC2
  • Lieferantengerätepaket: ECO-PAC2
Auf Lager6.714
63-7000PBF
63-7000PBF

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 650V COPAK

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: *
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Leistung - max: -
  • Schaltenergie: -
  • Eingabetyp: -
  • Gate Charge: -
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -
  • Testbedingung: -
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.092
92-0065
92-0065

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT STD 600V 60A TO-220AB

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A
  • Leistung - max: 160W
  • Schaltenergie: -
  • Eingabetyp: Standard
  • Gate Charge: -
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -
  • Testbedingung: -
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager6.390
92-0235
92-0235

Infineon Technologies

Transistoren - IGBTs - Single

IGBT 430V 20A 125W TO220AB

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A
  • Leistung - max: 125W
  • Schaltenergie: -
  • Eingabetyp: Logic
  • Gate Charge: 27nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 900ns/6µs
  • Testbedingung: -
  • Reverse Recovery Time (trr): -
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager4.410
AFGB30T65SQDN
AFGB30T65SQDN

ON Semiconductor

Transistoren - IGBTs - Single

650V/30A FS4 IGBT TO263 A

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
  • IGBT-Typ: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A
  • Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
  • Leistung - max: 220W
  • Schaltenergie: -
  • Eingabetyp: -
  • Gate Charge: 56nC
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14.5ns/63.2ns
  • Testbedingung: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 245ns
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Lieferantengerätepaket: D²PAK-3 (TO-263-3)
Auf Lager3.492