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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
TK25A60X5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.550
TK25A60X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.866
TK25E06K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.078
TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.758
TK25E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.794
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 25A TO247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.544
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.180
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DFN-EP (8x8) Paket / Fall: 4-VSFN Exposed Pad	Auf Lager2.736
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.676
TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.092
TK290A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.684
TK290A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.136
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager18.264
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.182
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.570
TK2P60D(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PW-MOLD Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.472
TK2Q60D(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PW-MOLD2 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.898
TK30A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager19.260
TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 43A TO-220 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 53W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.586
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 58W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK+ Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.626
TK31A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.092
TK31E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.392
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.310
TK31J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N) Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P(N) Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager2.088
TK31J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P(N) Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.298
TK31N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager22.656
TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.154
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.336
TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 240W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DFN-EP (8x8) Paket / Fall: 4-VSFN Exposed Pad	Auf Lager24.174
TK31V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 240W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DFN-EP (8x8) Paket / Fall: 4-VSFN Exposed Pad	Auf Lager2.394

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