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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.308
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N) Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P(N) Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager2.214
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 15.8A TO247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.526
TK16V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 139W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DFN-EP (8x8) Paket / Fall: 4-VSFN Exposed Pad	Auf Lager4.644
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager15.156
TK17E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.064
TK17E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.088
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.786
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.068
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.752
TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.642
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager20.988
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.304
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.282
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.344
TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.478
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.964
TK20C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.578
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.678
TK20G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 20A D2PAK Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.964
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P(N) Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager7.704
TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.110
TK20N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 165W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.220
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.698
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK+ Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.014
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK+ Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.156
TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 156W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DFN-EP (8x8) Paket / Fall: 4-VSFN Exposed Pad	Auf Lager8.694
TK20V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 20A 5DFN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 156W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DFN-EP (8x8) Paket / Fall: 4-VSFN Exposed Pad	Auf Lager2.376
TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 52A TO-220 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.526
TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 100V 52A TO220 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 72W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.442

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